在集成电路制造中，光刻覆盖了微纳图形的转移、加工和形成环节，决定着集成电路晶圆上电路的特征尺寸和芯片内晶体管的数量，是集成电路制造的关键技术之一。随着半导体工艺向7nm及以下节点的推进，极紫外光刻成为首选的光刻技术。该专利申请提供一种反射镜、光刻装置及其控制方法，涉及光学领域，能够解决相干光因形成固定的干涉图样无法匀光的问题，在极紫外光的光刻装置基础上进行了优化，进达到匀光的目的，进解决了相关技术中因相干光形成固定的干涉图样无法匀光的问题。...
特别声明：本页面标签名称与页面内容，系网站系统为资讯内容分类自动生成，仅提供资讯内容索引使用，旨在方便用户索引相关资讯报道。如标签名称涉及商标信息，请访问商标品牌官方了解详情，请勿以本站标签页面内容为参考信息，本站与可能出现的商标名称信息不存在任何关联关系，对本页面内容所引致的错误、不确或遗漏，概不负任何法律责任。（反馈错误)