《三星宣布7nm LPP量产！基于EUV光刻技术、性能增加20%》文章已经归档，站长之家不再展示相关内容，下文是站长之家的自动化写作机器人，通过算法提取的文章重点内容。这只AI还很年轻，欢迎联系我们帮它成长：
三星官方宣布，已经开始进行7nmLPP（LowPowerPlus）工艺芯片的量产工作...
三星的7nmLPP采用EUV光刻，机器采购自荷兰ASML（阿斯麦），型号为双工件台NXE:3400B（光源功率280W），日产能1500片...
简单来说，EUV使用13.5nm波长的极紫外光曝光硅片，而传统的氟化氩浸没式光刻则是依靠193nm波长，并且需要昂贵的多模掩模装置...
技术指标上，对比10nmFinFET，三星7nmLPP可实现面积能效（同样复杂度为量纲）提升40%、性能增加20%、功耗降低最多50%...
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