这一宣布不仅标志着业界首个3纳米级的制造技术开始量产，而且也是第一个使用栅极全包围场效应晶体管的节点...当该公司描述其使用3GAE技术生产的256Mb GAAFET SRAM芯片时，三星表示，该工艺将使性能提高30%，功耗降低50%，晶体管密度提高80%......
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