站长之家(ChinaZ.com) 4月29日消息:据tom‘s hardware报道,三星周四表示,它有望在本季度(即未来几周)开始使用其3GAE(早期3nm级栅极全能)制造工艺进行大批量生产。这一宣布不仅标志着业界首个3纳米级的制造技术开始量产,而且也是第一个使用栅极全包围场效应晶体管(GAAFET)的节点。
三星大约在三年前正式推出其3GAE和3GAP节点。当该公司描述其使用3GAE技术生产的256Mb GAAFET SRAM芯片时,三星表示,该工艺将使性能提高30%,功耗降低50%,晶体管密度提高80%。不过,对三星来说,性能和功耗的实际组合将如何发挥,还有待观察。
「这是世界上首次大规模生产的GAA3纳米工艺,将以此提高技术领先地位。」三星在一份声明中写道。