快科技8月24日报道，小米创始人雷军近日在短视频平台对外披露了小米玄戒芯片的部分技术细节。
雷军表示，将玄戒O3芯片置于显微镜下观察，可以清晰看到一个仅有60微米大小的“OK”手势，其含义为“万事OK”。不少网友在评论区留言，认为这一设计体现了“理工男的浪漫”。
据介绍，玄戒O3基于3nm工艺打造，芯片面积为133平方毫米，晶体管规模达到240亿个，相比上一代O1增加26%。
小米方面称，为了继续提高晶体管密度并减少面积占用，O3全面应用了Top Channelless沟道消除技术。按照以往思路，不同功能模块之间需要保留沟道用于供电布线，容易造成空间浪费。
小米调整设计后，不再绕开模块布线，而是直接穿过模块中间，去除了原本预留的沟道，让晶体管密度进一步提升5%。同时，小米自研标准单元数量由O1的480个扩充至2400多个，增至原来的五倍。
如果把芯片比作一座“摩天大楼”，标准单元就相当于构成大楼的“砖块”。小米将这些经过特殊设计的“砖块”放置在关键位置，从而让玄戒O3在性能提升的同时降低功耗。
更庞大的规模带来了更强的性能表现。玄戒O3较前代提升明显，安兔兔极限跑分达到522万，已经大幅领先于现有旗舰SoC。
此外，玄戒O3还是业内首款支持LPDDR6的移动SoC。其单通道位宽从LPDDR5X的16bit增加到24bit，内存带宽提升至113.8GB/s，增幅接近50%。内存速度的加快意味着日常使用更加顺滑、终端侧任务处理更快、功耗也更低。
除内存升级外，小米还在降低访存时延方面进行了优化。简单来说，CPU从发出指令到内存返回数据的时间越短，计算速度就越快、功耗也越低。玄戒O3通过系统级调优，将访存时延控制在82ns，处于目前主流旗舰手机SoC的领先水平。
从细节设计到整体性能，玄戒O3凭借多项技术突破，为小米旗舰产品提供了更加稳固的底层能力。