科技门户快科技报道，小米汽车于近日发布了小米SU7答网友问（第十二集）。
早前，智己汽车在智己L6发布会上将小米SU7采用的前后双碳化硅电机误称为前IGBT后SiC电机，引发热议。
小米汽车对此进行了澄清，并解释了全系全域SiC碳化硅高压平台的含义及其优势。
小米汽车指出，IGBT/SiC是电机驱动控制器中功率模块的代称，它由多个功率芯片并联组成开关器件。
功率模块采用Si材料的芯片类型为IGBT，采用SiC材料的芯片类型为MOSFET（IGBT为半导体类型，SiC为芯片材料）。
功率模块在电机驱动时将直流电转换为交流电，在能量回收时将交流电转换为直流电，因此其效率至关重要。
SiC MOSFET的开关损耗低于Si IGBT，效率更高。然而，由于SiC制造工艺难度大、生产周期长、得片率和良品率低，其价格是Si的2～5倍。
全系全域SiC碳化硅高压平台是指小米SU7不仅在驱动电机上使用了SiC碳化硅功率模块，还在车载充电机（OBC）和空调压缩机等两个对能效要求极高的关键部件中使用了碳化硅材料，从而实现更高的能效表现。全域碳化硅是小米SU7实现低能耗的技术手段之一。