快科技12月26日消息，据媒体报道，在国际微电子领域顶级学术会议IEDM第70届年度会议上，来自中国的浙江驰拓科技发布了一项突破性的SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）技术进展，解决了该技术在大规模生产中面临的主要挑战。驰拓科技首次提出了适合大规模制造的无轨道垂直型SOT-MRAM器件结构，显著降低了SOT-MRAM工艺流程的复杂性和难度，并从原理上提升了器件良率。该结构的创新之处在于将MTJ直接放置在两个底部电极之间，并允许过刻蚀，从而大幅度增加了刻蚀窗口，降低了刻蚀过程的难度。这一突破性设计使得12英寸晶圆上SOT-MRAM?...
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