三星电子今天宣布，其已开始用3nm 工艺节点来为客户代工制造 GAA 环栅晶体管芯片...三星还称，第二代3纳米 GAA 制造工艺也正在研发中，这种第二代工艺将使芯片功耗降低达50%，性能提高30%，面积减少35%...为突破鳍式场效应晶体管（FinFET）的性能限制，三星选择了多桥通道 FET技术来制造首批 GAA 晶体管芯片......
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