作为全球半导体技术的领导者，三星电子刚刚宣布，其已开始用 3nm 工艺节点来制造 GAA 环栅晶体管芯片...通过展示业内领先的下一代芯片制造工艺，三星希望在高 K 金属栅极、FinFET 和 EUV 之外，通过 3nm MBCEFT 工艺来继续保持竞争优势...与 5nm 公司相比，三星电子初代 3nm GAA 工艺可较 5nm 降低多达 45% 的功耗，同时提升 23% 的性能和减少 16% 的面积占用.........
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