内存容量瓶颈解决

全球主要的两种存储芯片中,NAND闪存已经进入3D时代,容量比2D时代大幅提升,DRAM内存还停留在2D,现在美国NEO半导体公司日前宣布了全球首款3D内存,旨在解决内存容量瓶颈,容量追上SSD不是问题。NEO是美国一家存储芯片技术公司,此前推出的3D+X-NAND闪存号称解决了TLC、QLC闪存的性能及耐用性问题,这次推出的3D+X-DRAM又号称全球首款类3D+NAND的内存技术,将内存带入3D时代,要做内存行业的游戏规则改变者。不过NEO公司的问题在于他们自己没有晶圆厂,因此3D+X-DRAM投入生产还要靠合作,他们计划寻找授权厂商,包括三星、SK海力士、美光、西数、铠侠等等。...

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