全球主要的两种存储芯片中，NAND闪存已经进入3D时代，容量比2D时代大幅提升，DRAM内存还停留在2D，现在美国NEO半导体公司日前宣布了全球首款3D内存，旨在解决内存容量瓶颈，容量追上SSD不是问题。NEO是美国一家存储芯片技术公司，此前推出的3D+X-NAND闪存号称解决了TLC、QLC闪存的性能及耐用性问题，这次推出的3D+X-DRAM又号称全球首款类3D+NAND的内存技术，将内存带入3D时代，要做内存行业的游戏规则改变者。不过NEO公司的问题在于他们自己没有晶圆厂，因此3D+X-DRAM投入生产还要靠合作，他们计划寻找授权厂商，包括三星、SK海力士、美光、西数、铠侠等等。...
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