海力士推UFS 2.0高速闪存 凤凰数码讯 7月10日消息，据快科技报道，今天，SK海力士宣布，已经开发出基于自家16nm NAND闪存和自家固件、控制器的UFS 2.0标准存储方案，容量有16GB、32GB、64GB、128GB等多种选择，专为当今旗舰手机打造。 其中，32GB、64GB已经开始出货，16GB的本季度
本文由站长之家合作伙伴自媒体作者“”授权发布于站长之家平台，本平台仅提供信息索引服务。由于内容发布时间超过平台更新维护时间，为了保证文章信息的及时性，内容观点的准确性，平台将不提供完全的内容展现，本页面内容仅为平台搜索索引使用。需阅读完整内容的用户，请查看原文，获取内容详情。