近日，在深圳举办的行家说第三代半导体年会——碳化硅&氮化镓产业高峰论坛上，数百家SiC&GaN企业代表齐聚一堂，共同探讨和见证第三代半导体产业的蓬勃发展。在 12 月 12 日晚的颁奖典礼上，英诺赛科凭借在氮化镓功率半导体领域的卓越贡献和创新实力，荣获“第三代半导体年度标杆领军企业”等三项荣誉，这也是英诺赛科连续第三年获得该奖项的认可。
“行家极光奖”作为行业内相当影响力的奖项，由行家说创办并每年举办一届，旨在表彰在碳化硅和氮化镓领域持续进行技术创新、推动产业进步的企业。本次颁奖典礼特别设立了“十强企业榜单”“年度企业”和“年度优秀产品”三大奖项，以树立行业标杆，提升企业品牌认知度和影响力，为行业发展注入更多创新力和推动力。
作为氮化镓功率半导体的领军者，英诺赛科拥有全球最 大的八英寸硅基氮化镓晶圆生产制造能力，并率先实现了氮化镓高、低压芯片的量产。在 2024 年，英诺赛科继续深耕氮化镓平台，基于高性能、高可靠性的八英寸晶圆，进行了产品的研发和应用技术的开发与推广，实现了行业内的创新与突破。根据招股书，截至 2024 年 6 月 30 日，以折算氮化镓分立器件计，累计出货量超过 850 百万颗，彰显了其在市场中的强劲实力。
在此次颁奖典礼上，英诺赛科凭借先进的氮化镓技术和卓越的市场开拓能力，被评为“第三代半导体年度标杆领军企业”和“中国氮化镓十强企业”。这两项荣誉的获得，不仅是对英诺赛科在氮化镓领域创新成果的肯定，更是对其在推动第三代半导体产业发展方面所做贡献的认可。
除了企业荣誉外，英诺赛科的40V车规级产品INN040FQ04优秀-Q也荣获了“年度影响力产品”奖。该产品是英诺赛科基于40V车规平台开发的一款超小封装的氮化镓车规芯片，已通过AEC-Q101 车规级认证。该芯片具备小体积、低损耗、高频高功率的优点，是继车载激光雷达之后第二款打入车规前装市场的氮化镓芯片。它可以满足UMM（USB Multi-Connect Module）及UCM（USB Charging Module）等车载充电通讯模块的大功率充电和高频通讯需求，为新能源汽车的智能化、便捷化提供了有力支持。
值得一提的是，除了本次极光奖的三项荣誉外，英诺赛科在 2024 年还荣获了国际电子成就奖（最 佳功率半导体/驱动器）、“中国芯”优秀技术创新产品奖、GaN行业卓越奖、OPPO2024 较具创新奖等多项荣誉。这些荣誉的获得，进一步证明了英诺赛科在半导体行业的领先地位和创新实力。
展望未来，英诺赛科将继续秉持创新理念，不断增强产品竞争力，与合作伙伴携手共进，为第三代半导体产业的发展贡献更多力量。