近日，全球功率半导体革命的领导 者英诺赛科（苏州）科技股份有限公司 InnoScience(Suzhou)TechnologyHoldingCo.，Ltd.(简称“英诺赛科”)向港交所递交招股书，拟香港主板挂牌上市。
据招股书显示，英诺赛科由骆薇薇博士创立，公司专注于第三代半导体氮化镓的应用与研发，是全球头家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的公司，同时也是全球最 大的8英寸硅基氮化镓器件制造商，也是全球唯 一具备产业规模提供全电压谱系的硅基氮化镓半导体产品的公司。
氮化镓（GaN）是一种具有高频率和低导通电阻的宽带隙半导体材料，已成为功率半导体行业持续变革的核心。
英诺赛科设计、开发及生产若干类型的氮化镓产品，包括分立器件及集成电路、晶圆、模组，产品应用于包括消费电子、可再生能源及工业应用、汽车电子及数据中心等广泛领域，为客户持续赋能。
英诺赛科是全球头家实现量产8英寸硅基氮化镓晶圆的企业，与传统的6英寸晶圆相比，晶圆晶粒产出数增加80%，单一器件成本降低30%。英诺赛科拥有全球最 大的氮化镓功率半导体生产基地，截至2023年12月31日，产能达到每月10，000片晶圆，晶圆良率超过95%。
同时，在封装技术方面，为确保氮化镓产品的可靠性，实现产品最 佳的性能，英诺赛科不断创新封装形式，并在各个应用领域就封装技术进行针对性优化。凭借稳定的生产力和产品可靠性，截至2023年12月31日，以折算氮化镓分立器件计，公司的累计出货量超过5亿颗，是全球氮化镓出货量最 大企业。
董事高管方面，英诺赛科董事会由11名董事组成，包括4名执行董事，3名非执行董事，4名独立非执行董事，除执行董事外，高管包括副总经理倪景华先生，副总经理李新华先生，副总经理陈钰林先生。
倪景华先生毕业于武汉理工大学，并于2008年6月获上海交通大学软件工程硕士学位。于2023年1月加入英诺赛科，担任研发部副总经理。倪景华先生在半导体技术行业拥有丰富经验。在加入英诺赛科之前，倪先生于2002年6月至2021年6月担任中芯 国际集成电路制造（上海）技术研究发展总监。
李新华先生于2002年7月于中国上海交通大学获材料科学与工程学士学位，并于2015年1月于中国北京大学获软件工程领域工程硕士学位。2020年5月加入英诺赛科，曾担任英诺珠海厂长等职务。李新华先生在半导体技术行业拥有丰富经验。在加入英诺赛科之前，曾任职于中芯国 际集成电路制造（北京）有限公司及中芯北方集成电路制造(北京)有限公司。
陈钰林先生毕业于中国河北工程大学，获电机工程自动化学士学位。于2017年11月加入英诺赛科公司。陈钰林先生在功率半导体及电源行业拥有丰富工作经验。
英诺赛科此次IPO的团队主要有:中金公司、招银国际为其联席保荐人;毕马威为其审计师;澄明则正、高伟绅分别为其公司中国律师、香港及美国律师;仲量联行为其物业估值师;弗若斯特沙利文为其行业顾问。