在 HotChips33 年度会议期间，台积电介绍了该公司最先进的封装技术路线图，并且展示了为下一代小芯片架构和内存设计做好准备的最新一代 CoWoS 解决方案。WCCFTech 指出，这家业内领先的半导体巨头在先进芯片封装技术方面取得了快速进展。过去十年，该公司已经推出五代不同的基板上芯片封装工艺，且涵盖了消费级与服务器芯片领域。
预计 TSMC 将于今年晚些时候宣布第 5 代 CoWoS 封装技术，其有望将晶体管数量翻至第 3 代封装解决方案的 20 倍。
新封装将增加 3 倍的中介层面积、8 个 HBM2e 堆栈（容量高达 128 GB）、全新的硅通孔（TSV）解决方案、厚 CU 互连、以及新的 TIM（Lid 封装）方案。
其中最让我们关注的，莫过于使用 TSMC 第 5 代 CoWoS 封装工艺的 AMD MI200“Aldebaran”GPU 。
作为 AMD 首款多芯片（MCM）设计的 GPU，其采用了 CDNA 2 核心架构，预计可实现一些疯狂的规格参数。
WCCFTech 指出，AMD“Aldebaran”GPU 或拥有超过 16000 个内核、以及高达 128GB 的 HBM2E 内存容量。
此外英伟达的 Hopper GPU 竞品也使用了 MCM 小芯片架构，且同样可能交由 TSMC 代工。
至于第 5 代 CoWoS 封装技术能够为英伟达 Hopper GPU 带来怎样的惊喜，还请耐心等到 2022 年揭晓。
接着，TSMC 将升级到第 6 代 CoWoS 封装工艺，特点是能够集成更多的小芯片和 DRAM 内存。
TSMC 尚未敲定第 6 代 CoWoS 的最终工艺，但预计可在同一封装内容纳多达 8 组 HBM3 内存和 2 组计算小芯片。
TSMC 还将以 Metal Tim 的形式，提供最新的 SOC 散热解决方案。
与初代 Gel Tim 方案相比，Metal Tim 有望将封装热阻降低到前者的 0.15 倍。
最后，AMD CNDA 3（MI300）和英伟达 Ampere 的下下一代，都有望采用 TSMC 的 N3 工艺节点进行制造。