站长之家(ChinaZ.com) 6月30日消息:日前三星宣布，与Synopsys合作的采用GAA架构的3nm制程技术已经正式流片。
据介绍，三星的3nm制程采用的是GAA架构，性能优于台积电的3nm FinFET架构。三星在3nm制程的流片进度与新思科技合作完成，目的在于加速为GAA架构的生产流程提供高度优化的参考方法。三星的3nm制程采用不同于台积电或英特尔所采用的FinFET的架构，采用GAA结构。因此，三星采用了新思科技的Fusion Design Platform。
据三星的说法，与5nm制造工艺相比，3nm GAA技术的逻辑面积效率提高了35%以上，功耗降低了50%，性能提高了约30%。
三星代工设计技术团队副总裁Sangyun Kim表示:「三星代工是推动下一阶段行业创新的核心，我们不断进行基于工艺技术的发展，以满足专业和广泛市场应用不断增长的需求。我们最新的、先进的3nm GAA工艺受益于我们与Synopsys的广泛合作，Fusion Design Platform加速准备以有效实现3nm工艺的承诺，证明了这些关键联盟的重要性和好处。」