骁龙8 Gen2是台积电还是三星代工？

台积电

据报道，高通原打算在今年的骁龙8至尊版开始执行双代工厂策略，不过由于三星良品率不稳定等原因，最终让高通选择延后执行该计划。不过高通并没有放弃，希望能够在第二代骁龙8至尊版上引入双代工厂，分别采用台积电N3P和三星SF2工艺。对于高通言，确保旗舰芯片的稳定产量与良品率，台积电当前展现出的稳定性和成熟度无疑是至关重要的选择因素。

台积电近日成功夺得高通下一代处理器骁龙8Elite2”的代工订单，将采用其先进的3纳米制程技术N3P”进行量产。三星电子原本有意争取该处理器的平价版8sElite”订单，但也未能成功。三星GalaxyS25将完全采用高通骁龙8Elite处理器，在确认GalaxyS25无法搭载Exynos2500后，三星跟外部合作的意愿也增加了。

博主@数码闲聊站最新爆料透露了高通SM8735/骁龙8sElite处理器部分参数，目前频率设定1*3.21GHz3*3.01GHz2*2.80GHz2*2.02GHz，Adreno825GPU。处理器大核架构还是X4A720，1322有点像骁龙8Gen3，目前跑分为1967/5827，骁龙8Gen3为2200/7000。屏幕还将支持超声波指纹识别。

根据知名数码博主@数码闲聊站爆料，iQOOZ10系列目前正在打磨中，将有4款手机与我们见面，包括iQOOZ10X、iQOOZ10、iQOOZ10Turbo以及iQOOZ10TurboPro。该博主爆出了iQOOZ10TurboPro的部分参数，这款新机搭载了SM8735芯片，也就是此前传闻中的骁龙8sElite。iQOOZ10TurboPro还具备独显芯片，支持游戏的插帧、超分、超画等功能，进一步提升游戏的流畅度和画质体验。

今日一款vivo新机的跑分数据现身Geekbench数据库，新机在Geekbench6.1.0版本中取得了单核1967分、多核5827分的成绩。根据跑分信息来看，新机的CPU搭载了1*3.21GHz3*3.01GHz2*2.80GHz2*2.02GHz核心，GPU为Adreno825，预计为骁龙8sElite处理器，其多核性能超越了骁龙8Gen2旗舰平台。预计iQOOZ10TurboPro还将搭载独立显卡芯片，支持游戏插帧、超分辨率和画质增强等功能，大幅提升游戏画面流畅度和视觉体验。

台积电在新竹宝山工厂开始了2nm工艺的试产工作，随着2nm工艺的到来，其价格也随之上涨。台积电2nm晶圆的价格已经超过了3万美元，相比之下，目前3nm晶圆的价格大约在1.85万至2万美元之间。如果骁龙平台转向三星2nm工艺制程，那么其功耗问题将会是业内关注的热点。

台积电在亚利桑那州建设的首座晶圆厂，经过多年的建设，已于去年9月开始采用N4P制程工艺，代工苹果的小批量A16仿生芯片。随着工厂的进一步投产，台积电如今开始为苹果的AppleWatch代工所需的芯片。随着亚利桑那工厂的逐步完善和产能提升，台积电不仅将持续为苹果提供高质量芯片，也将拓展其在其他高科技领域的合作，进一步加强其全球供应链的稳定性。

今日，数码博主@完美编排数码曝光了一组疑似三星GalaxyS25Slim的Geekbench6跑分成绩。根据曝光的数据，单核成绩达到3005分，多核成绩为6945分。三星计划在明年第一季度率先发布GalaxyS25、GalaxyS25和GalaxyS25Ultra三款机型GalaxyS25Slim则将单独安排在第二季度亮相，预计发布时间为4月或5月。

IEDM2024大会上，台积电首次披露了N22nm工艺的关键技术细节和性能指标：对比3nm，晶体管密度增加15％，同等功耗下性能提升15％，同等性能下功耗降低24-35％。台积电2nm首次引入全环绕栅极纳米片晶体管，有助于调整通道宽度，平衡性能与能效。按照台积电的说法，28nm工艺以来，历经六代工艺改进，单位面积的能效比已经提升了超过140倍！

联电夺得高通高性能计算产品的先进封装大单，预计将应用在AIPC、车用以及AI服务器市场，甚至包括HBM的整合。这也打破了先进封装代工市场由台积电、英特尔、三星等少数厂商垄断的态势。高通采用联电先进封装制程的新款高性能计算芯片有望在2025年下半年开始试产，并在2026年进入量产阶段。