4月24日消息,三星将逐步停产1y/1z制程8Gb DDR4内存,并停止HBM2E产品生产,转向新一代HBM3E和HBM4研发。随着AI、高性能计算需求激增,HBM市场前景广阔,但三星在该领域落后于SK海力士和美光。为应对竞争,三星需加快技术迭代。美光已通知客户将停产服务器用DDR4模块,SK海力士也计划减少DDR4产量。中国内存厂商崛起加剧行业竞争,长鑫存储已量产16纳米DDR5,并计划2025年提升产能,2026年进军LPDDR5和车用DRAM市场,未来或将涉足HBM领域。...
特别声明:本页面标签名称与页面内容,系网站系统为资讯内容分类自动生成,仅提供资讯内容索引使用,旨在方便用户索引相关资讯报道。如标签名称涉及商标信息,请访问商标品牌官方了解详情,请勿以本站标签页面内容为参考信息,本站与可能出现的商标名称信息不存在任何关联关系,对本页面内容所引致的错误、不确或遗漏,概不负任何法律责任。(反馈错误)
网络媒体对“HBM2E”描述
DRAM 内存 / 显存芯片
目前业界速度最快的DRAM解决方案
第四个工业时代的最佳内存解决方案
搜索引擎对“HBM2E”的分析
-
每个针脚传输速率:3.6Gbps
-
单颗最大容量:16GB
-
带宽:410GB/s
-
总带宽:409.6GB/s
-
提出:SK海力士
-
最大容量:24GB
-
特性:低能耗
-
用于:AI人工智能
-
电压:1.2V
-
等位位宽:1024bit
-
核心容量:16Gbit
-
针脚带宽:2.8Gbps
-
基于:1,024
-
特点:低功耗
网友给“HBM2E”贴的标签
- 解决方案
- 显存
- 公司
- 存储器解决方案
- 标准
- 芯片
- DRAM内存
- 内存
- DRAM解决方案
- 产品
- 内存解决方案
- 存储标准
- 显存芯片