在AI算力需求激增的背景下，存储芯片成为决定计算性能的关键。文章重点分析了三大易失性存储技术：SRAM凭借高速读写特性在CPU缓存中不可替代；DRAM作为数字世界的“主内存”，在容量与速度间实现平衡；HBM则通过3D堆叠架构革命性提升带宽，突破AI训练中的“内存墙”瓶颈。当前HBM需求爆发式增长，预计2025年市场规模将达340亿美元。中国企业在DRAM领域逐步突破，并开始布局HBM技术，正通过持续技术积累提升在全球半导体生态中的地位。...
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