在今年于加州旧金山举办的第 67 届国际电子器件会议（IEDM 2021）上，三星与 IBM 在“3D at the Device Level”讨论环节宣布，其已携手在下一代半导体芯片的设计技术上取得了重大突破。据悉，这项突破性的 VTFET 新技术，允许晶体管在垂直方向上堆叠。不仅有助于缩小半导体芯片的尺寸，还能够使之变得更加强大和高效。谈话期间，IBM 与三星解释了如何通过将电路从水平改到垂直方向，同时让占地面积缩小的半导体芯片更加强大和高效?...
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