对于 2nm 的铜互连，正在评估一项重大的架构变化，这一举措将重新配置向晶体管供电的方式...EUV 和 BEOL 图案化在 7nm 节点 只有少数掩模层需要EUV光刻，但在 5nm（约 30nm 金属间距）时，这会变为 15 到 18 层...在通孔预填充之后，通过 CVD 在沟槽侧壁上沉积钌衬垫，然后进行铜离子化 PVD 填充...近年来，钴触点采用了薄的 TiN 势垒.........
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