3DNAND

【TechWeb】6月20日消息,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。国家存储器基地项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。其中,一期主...

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  • 单片产值:
    5,000~6,000美元
  • 平均值:
    1Gbps
  • 输出输入最高速度:
    1.4Gbps
  • 技术形态:
    TLC
  • 第四代存储方式:
    QLC
  • 建造:
    武汉
  • 芯片制造厂:
    长江存储

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