【TechWeb】6月20日消息,国家存储器基地项目二期在武汉东湖高新区开工。国家存储器基地项目由紫光集团、国家集成电路基金、湖北省科投集团和湖北省集成电路基金共同投资建设,计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂。国家存储器基地项目一期于2016年底开工建设,进展顺利,32层、64层存储芯片产品已实现稳定量产,并成功研制出全球首款128层QLC三维闪存芯片。项目计划分两期建设3D NAND闪存芯片工厂,总投资240亿美元。其中,一期主...
特别声明:本页面标签名称与页面内容,系网站系统为资讯内容分类自动生成,仅提供资讯内容索引使用,旨在方便用户索引相关资讯报道。如标签名称涉及商标信息,请访问商标品牌官方了解详情,请勿以本站标签页面内容为参考信息,本站与可能出现的商标名称信息不存在任何关联关系,对本页面内容所引致的错误、不确或遗漏,概不负任何法律责任。(反馈错误)