站长之家 - 见闻 2019-01-30 14:32

三星宣布量产1TB eUFS闪存 基于第五代V-NAND技术打造

站长之家(ChinaZ.com) 1月30日 消息:今天,三星在其官网宣布,推出业界首个1TB嵌入式通用闪存(eUFS)2.1,并且已经正式量产。其基于第五代V-NAND技术打造,容量是64GB版本的 20 倍,速度是microSD存储卡的 10 倍,特别适合数据密集型应用。

1TB闪存芯片封装尺寸为11.5mm*13mm,其eUFS解决方案是将512GB V-NAND闪存的 16 层堆叠层与新开发的控制器相结合,使容量翻了一番。1TB eUFS 2. 1 闪存读取速度达到1000MB/s,写入速度为260MB/s,随机读取速度为58000 IOPS,随机写入速度为50000 IOPS。

三星计划于 2019 年上半年,在韩国Pyeongtaek工厂扩大第五代512Gb V-NAND 的产量,以满足全球移动设备制造商对 1TB eUFS 的强劲需求。

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