站长之家（ChinaZ.com）3月26日 消息:美光（Micron）和SK海力士(SK Hynix)已经宣布了他们的DDR5发布计划，预计将于今年由威刚，Team Group或金士顿等集成商推出。现在，三星正加入这一战局，宣布自己采用DDR5标准。
作为领先的先进内存技术制造商，三星正在推出业界首个专为带宽密集型计算应用设计的512GB DDR5RAM模块。通过使用诸如TSV和HKMG之类的技术，可以实现如此大的容量。
三星并未提及新的512GB DDR5模块的频率参数，但确认这款模块可以提供当前DDR4模块两倍的性能，达到7200Mbps的峰值速度，这将极大地改善超级计算，人工计算中高带宽工作负载的数据传输。对智能和机器学习以及数据分析应用程序将有极大的帮助。
HKMG工艺于2018年首次在三星的GDDR6内存中实现。这种技术通常用于处理器裸片，其缩小速度比其他任何组件都要快（现在已经为5nm，而RAM则为10nm）。DDR5允许增加缩放功能，但是传统的绝缘层太薄，导致更大的泄漏电流。通过用HKMG材料代替绝缘子，三星的DDR5将能够减少泄漏并达到新的性能高度。此外，HKMG材料还将使RAM模块的能耗降低13%。
通过最新的TSV技术迭代，三星现在能够在每个DRAM芯片上堆叠8层16GB。因此，每个DRAM芯片都具有16GB的容量，因此512GB的总容量将需要32个芯片。但是，三星提供的图像显示每个模块实际上集成了40个芯片，总容量为640GB。由于这些模块主要是为数据中心设计的，因此这些DRAM芯片中有8个用于ECC。