智能手机的硬件配置日新月异，但是内置存储却进步缓慢，不但容量几乎没有扩充，性能也一直差强人意，尤其是随机速度难以令人满意，普遍还不如3.5寸机械硬盘，剩余容量较少时的随机写入更是惨不忍睹。MWC 2014大会上，SanDisk闪迪送来了救星——新一代的iNAND Extreme。
这也是一种单芯片的eMMC+NAND主控/闪存二合一方案，其中主控采用双处理器，一个负责Host操作，另一个负责闪存管理，而闪存是SanDisk自家出品的 2bpc MLC颗粒，首发容量16GB、32GB、64GB，封装尺寸为13×11.5×1.0(16-32GB)/1.2(64GB)毫米。
闪存工艺只说是1ynm，没有给出具体数字，但是说闪存单元尺寸可比19nm的缩小25％。(闪存工艺经常用x、y、z来模糊地表示，越往后越先进。)
iNAND Extreme现在支持eMMC 5.0 HS400标准规范，理论传输带宽400MB/s，不过内部使用了双通道设计，在主控和闪存之间有两个300MB/s的通道，不但有利于提高性能，还可以将垃圾回收等清理机制隐藏在幕后，不干扰用户使用。
iNAND Extreme之前使用的是基于区块的映射架构，适合高速持续读写，但随机性能很差，而现在改成了页面映射架构，辅以低延迟调度器(LLS)，大大提高了随机性能。
根据官方数据，随机读写性能最高分别可达6000 IOPS、3000 IOPS，换算下来写入大约是12MB/s。同时，持续读写性能最高可达300MB/s、80MB/s(16GB 40MB/s)。
此外，新架构还有电压检测器、纠错机制、增强的读取可靠性、优化的损耗均衡、掉电/不稳定性保护机制，耐用性更佳。
这样的指标，已经足以媲美低端的固态硬盘了。
SanDiks稍后还会提供128GB容量，和最新的同容量microSD卡一样使用了16 Die密集封装(尺寸增至16×12×1.4/1.6毫米)，不过性能上较低，接口标准仅支持e.MMC 4.51 HS200，持续读写速度4000 IOPS、800 IPOS，随机读写则是150MB/s、45MB/s，适合需要容量但对性能要求不高的地方。
SanDisk的新一代iNAND Extreme已经向客户提供样品，第二季度批量供货。看看谁家手机和平板能先用上。
主要规格
高性能
高可靠性