突破性进展！中国公司发布SOT-MRAM技术，助力大规模存储
在近期举行的国际微电子领域权威会议IEDM上，来自中国的浙江驰拓科技宣布了其在SOT-MRAM（自旋轨道矩磁性随机存取存储器）技术方面的重大成就。
驰拓科技开发了一种创新的器件结构，适用于大规模制造，有效解决了SOT-MRAM在大规模生产中面临的挑战。该结构将MTJ直接放置在两个底部电极之间，并支持过刻蚀，显著简化了工艺流程，提高了良率。
这一突破性设计使SOT-MRAM器件在12英寸晶圆上的位元良率从99.6%提升至99.9%以上，满足了大规模制造的要求。此外，该器件实现了2纳秒的写入速度，超过万亿次的写入/擦除操作次数，并具有持续微缩的潜力。
作为一种高性能非易失存储技术，SOT-MRAM拥有纳秒级写入速度和无限次的擦写次数。它有望取代CPU各级缓存，解决当前SRAM成本和静态功耗过高等问题。
传统方案在制造工艺上存在挑战，特别是低刻蚀良率限制了其大规模生产。驰拓科技的创新结构有效解决了这一问题，为SOT-MRAM的大规模应用铺平了道路。