铠侠宣布推出创新的第八代 BiCS FLASH 3D 闪存技术，该技术已应用于其新推出的 BiCS8 FLASH 2Tb QLC（四级单元）闪存，目前正在送样。
这款 2Tb QLC 存储器容量空前，将存储容量提升至新高度，有望加速包括人工智能在内的多种应用领域的发展。
铠侠凭借其领先的 BiCS FLASH 技术，通过专有工艺和创新架构，在存储芯片的纵向和横向扩展方面取得了突破性的平衡。
此外，铠侠还开发了革命性的 CBA（外围电路直接键合到存储阵列）技术，提供了更高的位密度和出色的接口速度（3.6Gbps(4)）。这些尖端技术的结合促成了业界容量最大的 2Tb QLC 存储器的诞生。
与铠侠当前采用的第五代 BiCS FLASH 的 QLC 产品相比，新型第八代 BiCS FLASH 2Tb QLC 的位密度提高了约 2.3 倍，写入能效提高了约 70%。
不仅如此，新的 QLC 产品架构可以在单个存储器封装中堆叠 16 个芯片，为业界提供了领先的 4TB 容量，并采用了更紧凑的封装设计，尺寸仅为 11.5 x 13.5 毫米，高度为 1.5 毫米。
除了 2Tb QLC 之外，铠侠还推出了 1Tb QLC 版本。与容量优化的 2Tb QLC 相比，1Tb QLC 的顺序写入性能提高了约 30%，读取延迟降低了约 15%。1Tb QLC 更适合高性能领域，例如客户端 SSD 和移动设备。