全球内存市场将在 2025 年面临前所未有的供需失衡，由人工智能的激增和行业投资不足共同驱动。摩根士丹利预测，届时高带宽内存 (HBM) 的供应缺口将达 -11%，整个 DRAM 市场将面临 -23% 的供应不足，HBM 需求激增，预计将占据总 DRAM 供应的 30%。
供需失衡预示着内存价格将大幅上涨。商品存储产品的价格预计在 2024 年以季度两位数的速度上涨，而 HBM 在 2025 年的价格将进一步上涨，服务器 DRAM 和超高密度 QLC 固态硬盘将引领这一趋势。
这一“超级周期”将为 SK 海力士和三星等行业领先企业带来市场份额的增长。摩根士丹利将这两家公司的 2024-25 年每股收益预测提高了 24-82%，比最新共识预期高出 51-54%。
SK 海力士预计将在 2025 年占据 HBM 市场最大份额，其目标价上调 11% 至 300,000 韩元，三星电子的目标价上调至 105,000 韩元。
这一超级周期与以往不同，因为行业投资远低于维持产能所需的水平，自 2022 年第三季度以来产能一直在下降。这种投资不足恰逢内存供应链快速向 HBM 转移，HBM 每比特所需的晶圆容量是普通 DRAM 的两倍，且良率较低，加剧了供需失衡。