据悉，NVIDIA 计划于今年第四季度发布新一代 RTX 50 系列显卡。有传言称，首批将仅推出旗舰级 RTX 5090，而另有说法认为 RTX 5080 将率先登场，随后再发布 RTX 5090。NVIDIA 本身也尚未最终敲定发布计划。
早前有爆料称，RTX 50 系列将升级为 GDDR7 显存。最新消息指出，RTX 5090 FE 公版不仅采用 GDDR7 显存，其排列也更为密集，在 GB202 GPU 核心上方排列有 4 颗，左右两侧各排列 5 颗，下方排列 2 颗，总计多达 16 颗。
与 RTX 4090 公版相比，每个方向的显存颗粒数量均增加了一颗。
按单颗显存颗粒容量为 2GB 计算，RTX 5090 的总显存容量将达到 32GB，比前代提升超过 1/3。
为了容纳如此众多的显存颗粒以及可能更高的功耗，RTX 5090 FE 公版的 PCB 设计将不再采用目前单块燕尾式的设计，而是采用三块 PCB 板。
此举旨在留出更多空间并实现双面吹透散热，而现有的 RTX 40/30 系列显卡仅采用单面吹透散热。
因此，风扇数量很可能增加到三个，显卡厚度或将接近甚至达到四插槽。
但三块 PCB 的具体设计尚不清楚，仅有消息称，PCB 平放无法容纳显存颗粒，因此可能像尚未发布的 RTX 4090 Ti 或 RTX Ada 一样，将 PCB 旋转 90 度与主板平行，并使用单独的子卡放置接口。
值得注意的是，爆料还提到了显存位宽的提升，似乎印证了早先传闻的从 384-bit 提升至 512-bit。
我们了解到，增加显存位宽不仅需要在芯片内集成更多晶体管，还需要在 PCB 上搭配更多元器件，这也是采用三 PCB 设计的一个关键因素。