站长之家（ChinaZ.com）7月25日消息:据韩联社报道，三星电子今天在京畿道华城厂区内的极紫外光刻（EUV）专用V1生产线举行了适用新一代全环绕栅极(简称GAA)技术的3纳米芯片产品出厂纪念活动。
据介绍，三星电子将首次把3纳米GAA工艺用于高性能计算机群（HPC），并计划与主要合作商携手将其扩至移动系统级芯片(SoC)等多种产品群。三星电子计划继华城厂区之后，在平泽厂区也投入量产GAA3纳米芯片。
三星电子的3nm 制程工艺是在6月30日开始量产的，他们的这一制程工艺，在业内率先采用全环绕栅极晶体管架构，量产和发货时间，都早于他们的竞争对手台积电。三星电子3nm工艺的首批芯片，是为国内的一家无晶圆厂商代工的，不过在最新的报道中，他们并未提及具体的厂商名称。