站长之家(ChinaZ.com) 6月20日消息:在日前举行的台积电北美技术论坛上，台积电正式公布未来先进制程路线图。其中，台积电3nm（N3）工艺将于2022年内量产，而台积电首度推出采用纳米片晶体管(GAAFET)架构的2nm(N2)制程工艺，将于2025年量产。
台积电表示，2nm制程工艺将基于全新的纳米片电晶体架构，与5nm工艺所采用的鳍式场效应晶体管（FinFET）完全不同，会带来更强的性能和更优的能效，但所需要的投资也会更大。三星晶圆代工业务的负责人也曾表示，他们在按计划推进2nm制程工艺在2025年下半年量产。
此前台积电研发资深副总经理Y.J. Mii在台积电技术论坛上表示，公司将在2024年引进ASML高数值孔径极紫外光（high-NA EUV）光刻机。Y.J. Mii在表示:「展望未来，台积电将在2024年引入 High-NA EUV光刻机，以开发客户所需的相关基础设施和图案化解决方案，并推动创新。」