WCCFTech 援引中国台湾地区的传闻称，台积电已于近日开始在其最新的生产设施内安装新设备。按照计划，该公司正在对南科 18 厂进行扩建，以在下一代 3nm 半导体芯片制造上保持业内领先地位。据悉，目前台积电 Fab 18 工厂正负责 5nm 先进芯片的制造。但近期发生的一连串意外事件，还是对其生产交付造成了一定的影响。
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早些时候，台积电 Fab 18 工厂遭遇了供应商的气体污染。在努力追赶预设进度的同时，其停车场又被从附近建筑工地排出的水给淹没。
庆幸的是，地方已澄清遭水围困的仅为停车场区域，3nm 设施的施工现场并未受到太大影响，且南科园区仍保持着正常的生产运营。
据联合新闻网（UDN）早前报道，台积电已于昨日开始在 Fab 18 工厂内安装 3nm 生产设备，但台南南科工厂受到的气体污染，正对其生产造成威胁。
按照该公司披露的八个阶段的说法，Fab 18 工厂的前四个阶段，主要基于 5nm 工艺节点，后续则会转型 3nm 芯片制造。
TWINSCAN NXE: 3400 的 EUV 光源（图 via ASML）
目前台积电或正处于第 4~8 阶段，一旦第 4 阶段完成，该公司的 5nm 产能将大幅增长。至于 3nm 阶段的生产状态报告，目前暂不得而知。
有人认为当前 5nm 阶段正在建设过程中，而另一些人则认为南科园区内已开始 3nm 生产设施的部署。
具体说来是，该区域属于南科厂区的第 5~6 期，也是其管理的四条 3nm 生产线中的第一条。
然而传闻并未透露正在 Fab 18 工厂安装的设备将用于芯片生产或其它目的，考虑到距离台积电正式投产 3nm 还有不到一年的时间，我们猜测相关设备不大可能这么早被送入南科工厂。