作为业内领先的半导体制造商，台积电（TSMC）刚刚分享了有关新一代制程节点的更多细节。在今天早些时候的2021线上技术研讨会期间，台积电研发高级副总裁米玉杰（Y.J. Mii）博士陆续介绍了 N6、N5、N4和 N3工艺节点的最新规划。除了晶圆工艺的密度，我们还得知了有关不同制造节点的产能和推出时间表。
首先，米玉杰强调了台积电在2020年大幅增加了研发支出和员工人数，并达到了创纪录的新水平。且自2017年首推7nm 工艺以来，相关芯片的出货量已经超过了10亿颗。
事实证明，7nm 节点对 AMD 有着至关重要的影响，后者的 CPU 和 GPU 都属于率先采用 N7工艺的产品之一，并助其与竞争对手英特尔展开了激烈的市场交锋。
台积电 N3工艺得到了业内的强力支持
至于 N3工艺节点，台积电宣称与 N5一代相比，3nm 将带来性能和功耗上的更佳表现。目前该公司已经开启了5nm 芯片的量产，紧随其后的还有 N4。
米玉杰表示，N4工艺将继续把芯片尺寸收缩6%，同时带来功耗和性能上的进一步改善。比如与 FinFET 晶体管（下图红线）相比，Nanosheet(下图蓝线)能够实现更严格的阈值电压(Vt)控制。
阈值电压（Vt）对比
据悉，Vt 特指半导体电路工作所需的最小电压，即使是最轻微的变化，也会对芯片的设计造成束缚、并导致性能的下降。庆幸的是，台积电设法取得了15% 的领先优势。
虽然没有明确地将这方面的研发进展与2nm 工艺联系起来，但我们还是对台积电后续的工艺发展充满了期待。