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中芯国际7nm制程工艺取得突破 首款芯片成功流片!

2020-10-12 20:12手机中国

据《珠海特区报》报道,日前,IP和定制芯片企业芯动科技完成全球首个基于中芯国际FinFET N+ 1 先进工艺的芯片流片和测试,所有IP全自主国产,功能一次测试通过。这也意味着中芯国际在7nm制程工艺上取得突破。

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观察者网援引中科院半导体所专业人士介绍,成功“流片”指在实验室得到性能达到指标的器件,而要实现真正量产,还需要在器件可靠性、退化机制等方面得到大量的数据支持和反复检验。

手机中国获悉,中芯国际FinFET N+ 1 先进工艺在功率和稳定性方面与7nm制程工艺非常相似,且不需要光刻机。该工艺和中芯国际现有的14nm工艺相比,性能提升了20%,功耗降低了57%,逻辑面积缩小了63%,SoC面积减少了55%。不过其性能提升依然不够,因此主要面向低功耗应用领域。

中芯国际此前证实遭遇美国出口限制,并表示正在评估该事件对公司经营造成的影响。相关公告显示,美国向中芯国际出口的部分美国设备、配件及原物料会受到美国出口管制规定的进一步限制,须事前申请出口许可证后才能向中芯国际继续供货。在这样的背景下,中芯国际7nm制程工艺取得突破一事就显得意义非凡了。

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